＜装置の概要＞

ＲＦ電源を搭載した小型の高周波スパッタリング装置です。
金属、半導体、絶縁物の成膜が可能なため、基礎研究開発等の実験用に最適です。
　

特徴
　１．絶縁物・金属・半導体材料のスパッタ装置です。
　２．メインポンプに油拡散ポンプを使用しています。
　３．φ80mm×1基のカソードで、単層成膜が可能です。
　４．コンベンショナルスパッタで、スパッタ速度20nm/min（SiO2）が
　　　得られます。